| 产品特性：平面MOSFET | 品牌：捷瑞德 | 型号：JR3N100 |
| 封装：TO247 TO220 TO-3P | 批号：202412 | FET类型：N |
| 漏源电压（Vdss）：1000V | 漏极电流(Id)：3.3A | 漏源导通电阻(RDS On)：3.5Ω |
| 栅源电压(Vgs)：±30V | 栅极电荷(Qg)：22nC | 反向恢复时间：430nS |
| 最大耗散功率：138000mW | 配置类型：平面MOSFET | 工作温度范围：-55-150℃ |
| 安装类型：直插和表面贴 | 应用领域：***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
JR3N100, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.
